打脸！台积电10nm相当于英特尔12nm？

发布时间：2016-7-22 13:34 发布者：芯易网

独得苹果A10订单的台积电正欢呼雀跃的时候，有一个巴掌重重地打了过来：此前宣布的10nmFinFET工艺，居然只相等于英特尔的十二纳米；那么，事实到底是怎么样的呢？

前不久的股东大会上，台积电CEO刘德音被美国分析师BrettSimpson（布雷特·辛普森）的一个问题难住了：Brett Simpson竟然问台积电7nmFinFET工艺比起英特尔即将量产的10nm工艺，在性能特征上的差距。

“你得去问我们的顾客，我无法为他们回答。”显然，刘德音有点尴尬。如果是几年前，这并不是问题。根据摩尔定律，7nm工艺比10nm工艺制出的电晶体缩小一半，效能、耗电等各项指标都大幅度超越；可以说，7nm工艺比10nm工艺领先一个世代。

而这位分析师的问题，是首次超越了半导体业界遵循30年的摩尔定律范畴，被称为困扰业界多年的半导体工艺“魔术数字”问题。业内人士认为，Brett Simpson在暗示，台积电还未量产的7nm和英特尔10nm工艺，属于同一世代的技术，也就是说，台积电10nm相当于英特尔12nm。

对于Brett Simpson的说法，不少台积电的客户都表示认同。台积电大客户、世界最大IC设计公司高通首席技术官Matt Grob (葛罗布)指出，独吃A10处理器的16纳米工艺，是目前台积电量产的最尖端工艺，仅相当于英特尔的20纳米工艺。

Matt Grob (葛罗布)表示，半导体行业中，晶圆代工厂商的工艺数字都经过不同程度的“美化”，包括台积电、三星以及格罗方德，他们的工艺数字都经过不同程度的“优化”。结果是让业界“非常困扰（芯易网注）。

“即使是高通内部的会议简报，都不能直接套用晶圆代工厂公告的技术数字，而必须经过换算。我们要问清楚，这个硅晶圆上到底可以放多少个逻辑电路？”Matt Grob称。

一位资深业者透露，联发科内部存在一套关于制程工艺的换算方式，从这个方式来看：台积电的16nm和英特尔的20nm相等，10nm和英特尔的12nm相仿。同理，未来台积电的7nm，可能会比英特尔要好一些。

台积电早期采用的16nm FinFET工艺，原计划是跟英特尔一样成为20nm FinFET。因为其16nm工艺的电晶体最小线宽(half-pitch)，与前一代量产的20nm 电晶体工艺差不多，只不过是换上全新的FinFET电晶体。

可以说，整个半导体行业的晶圆代工厂基本是跟着因特尔的脚步。引发现在这种一个工艺，各自表述“混乱”场面的始作俑者是三星，时间是在之前的2、3年前，当时整个产业导入全新的鳍式场效应晶体管（FinFET）。

一位前台积高阶主管透露，同样的（20nm）工艺，三星已抢先命名为“14纳米”，如果台积电还用20nm命名，肯定很吃亏。“我们至少有点良心，不敢像三星那样随便命名”这位前台积高层无奈称。

命名习惯被打乱之后，让外行人很难搞懂，英特尔、台积电、三星这半导体三雄的技术，哪个更先进一点？例如，英特尔原先预计在第三季度发布的10纳米工艺处理器，却在不久前宣布延后至明年。因此，量产时间也将落后于台积电量产的“10nm”工艺。

当台积电发布10nm FinFET工艺时，业内人士大都明白，彼“10nm”不等于此“10nm”，目前，台积电在技术上仍落后英特尔（至少）一个技术世代。不过，台积电正在缩小和英特尔的技术差距，“我们认为这些差距正在缩小，而且还会持续缩小。”高通首席营运官戴瑞克说道。

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