联电宣布与IBM共同开发10纳米CMOS制程
发布时间：2013-6-19 15:45
发布者：eechina
|
晶圆代工大厂联电(UMC)日前与IBM 共同宣布，联电将加入IBM技术开发联盟，共同开发10纳米CMOS制程技术。联电与IBM两家公司此次的协议，拓展了双方于2012年签订14纳米FinFET合作协议。 拥有IBM的支援与know-how，联电将可持续提升其内部自行研发的14纳米FinFET 技术，针对行动运算与通讯产品，提供富竞争力的低耗电优化技术。双方计划开发 10纳米制程基础技术，以满足联电客户的需求。联电将指派工程团队加入位于美国纽约州阿尔巴尼(Albany, New York)的10纳米研发计划，而联电14纳米FinFET与10纳米未来的制造，则将于该公司位在台湾南科的研发中心进行。 IBM半导体研发副总Gary Patton表示：「IBM联盟成立至今已逾十年，联盟夥伴可整合运用我们的专业知识，团队研究合作与创新的技术研发，藉此满足对先进半导体应用产品与日俱增的需求。联华电子的加入，将使联盟的实力更加强大。」 联电执行长颜博文表示：「IBM为众所公认的半导体技术领导者。联华电子十分高兴与IBM在先进制程领域携手合作，贡献我们多年来开发高竞争力制造技术所累积的经验。身为世界顶尖的晶圆专工厂之一，联华电子肩负着适时推出尖端制程，以实现客户次世代晶片设计的使命与承诺。我们期待与IBM密切合作，借重其深厚的技术专业来缩短我们10纳米与FinFET 的研发周期，为联华电子与我们的客户缔造双赢。」 |
网友评论